AI潮流驱动下 行业专家预测：HBM4价格将于明年翻倍

根据DigiTimes周五发布的潮流测一项报告，业内人士指出，驱动因人工智能需求激增和产能结构性瓶颈影响，下行高带宽内存(HBM)的业专价格预计到2027年将翻倍。业内人士表示，家预价格将于下一代HBM4的明年价格可能在2026年下半年从约2美元/千兆比特飙升至4至5美元，甚至更高。翻倍

这种价格上涨的潮流测原因主要有两方面：一是HBM4的生产过程极其复杂，生产周期可达四至六个月且初始良率较低；二是驱动HBM的生产晶圆使用量约为标准DDR5 DRAM的三倍，严重限制了制造商的下行总内存产量。

此外，业专全球三大主要HBM生产商——三星电子、家预价格将于SK海力士(SKHY.US)和美光科技(MU.US)正在与主要AI客户签订为期三到五年的明年长期协议，以保障全球内存供应，翻倍加剧了市场的潮流测供应紧张。DigiTimes预测，到2027年，全球DRAM总产能中约一半将无法供给小型买家。

尽管英伟达即将推出的Rubin架构加速了HBM4的开发，但内存厂商也面临意外经济考量：标准服务器内存市场表现良好。今年，部分供应商的DDR5利润率已突破80%，迫使芯片制造商提高HBM定价，以证明从传统DRAM生产线转型的合理性。

在华尔街，这种结构性供需紧缩的局面将持续推动关键存储芯片股票的表现。近日，SK海力士通过美国存托凭证(ADR)在美股市场首次亮相，创下265亿美元的发行规模，其价格较首尔本地股市存在显著溢价，显示出人工智能存储领域交易的强劲趋势。

尽管市场担忧科技巨头可能削减基础设施支出，但来自供应链渠道的消息指出，到2027年，人工智能硬件仍将面临根本性的供应短缺。因此，预计到2026年底，合同谈判中，芯片供应商将保持绝对价格优势，未签约的消费电子制造商将面临严重的供应短缺风险。

本文转载自财联社，官网编辑：李佛。